长江存储宣告128层闪存芯片研制成功每颗1.33Tb

时间:2020-04-13 17:14:26 阅读：2736+ 来源：网易科技报道作者：责任编辑NO。石雅莉0321

网易科技讯 4月13日音讯，长江存储今天在官网宣告其128层QLC 3D NAND闪存芯片X2-6070研制成功，并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上经过验证。

长江存储表明，X2-6070是业界首款128层QLC标准的3D NAND闪存，具有业界已知类型产品中最高单位面积存储密度，最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量。此次一起发布的还有128层512Gb TLC（3 bit/cell）标准闪存芯片X2-9060，以满意不同使用场景的需求。

据了解，每颗X2-6070 QLC闪存芯片共供给1.33Tb的存储容量。而在I/O读写功能方面，X2-6070及X2-9060均可在1.2V Vccq电压下完成1.6Gbps（Gigabits/s千兆位/秒）的数据传输速率。

长江存储表明，公司用短短3年时刻完成了从32层到64层再到128层的跨过。

另据财联社报导，估计2020年末-2021年中旬连续量产，方针到达月产能10万片；供应链音讯泄漏，这款闪存已送样。

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